Очистка после ХМП

ХМП по своей природе грязный процесс, который может внести дефекты, уменьшающие выход годных. Это может произойти из-за того, что поверхность пластины после проведения полировки содержит частицы эмульсии, сошлифованный материал полирующей подложки обломки, которые были удалены с поверхности пластины. Остатки эмульсии вводят инородные частицы, металлические загрязнения и химикаты, все эти загрязнения нежелательные для последующих шагов изготовления ИС. Если частицы эмульсии останутся на пластине, такие загрязнения могут разрушить электрические соединения, вызывать образование пустот во время последующих шагов осаждения диэлектриков и металлов, а также вызывать коррозию вскрытых участков металлизации. Для предотвращения от загрязнений, связанных с ХМП, пластины подвергаются пост-ХМП очистке (очистке после ХМП), которая позволяет вернуть поверхность пластины к приемлемому уровню чистоты. Этот процесс очистки должен удалить остатки эмульсии, а также органические остатки и следы ионов металлов. Процесс очистки не должен вносить новых дефектов. В случае, когда вскрываются металлические области (ХМП вольфрама, меди), также необходимо предотвратить коррозию.

Так как ХМП является влажным процессом, процессы очистки также в большинстве случаев влажные. После завершения полировки, по мере движения к станции очистки пластины удерживаются во влажной среде. Первичная промывка пластин (сразу после завершения полировки) выполняется, когда пластины еще находятся на полировальном столе. Промывка разбрызгиванием выполняется как можно скорее после того, как пластины были подняты с полировального стола. Если пластины подвергаются воздействию воздуха в течение даже одной или двух минут до проведения промывки, последующая очистка становиться трудной, а иногда и невозможной. Немедленное удаление эмульсии для полировки металла также является критичным, так как они могут продолжать реагировать и удалять материал даже после того, как полировка была завершена.

Современное оборудование для химико-механической полировки либо имеет встроенную станцию очистки, либо имеет возможность соединения со стандартной станцией очистки. Кроме того, оборудования для ХМП должно автоматически промывать все поверхности, вступающие в контакт с эмульсией, включая полировочные столы, сливные бочки, держатели пластин и устройства кондиционирования полирующей подложки. Эти области также должны периодически очищаться для предотвращения нарастания высохшей эмульсии.

Для очистки пластин после ХМП наиболее часто используется метод двусторонней кистевой мойки. При этом удаленные частицы находятся во взвешенной состоянии в жидкости до тех пор, пока они не будут вытеснены на край пластины и далее с слив, для чего жидкость постоянно подается на поверхность пластины. Для того чтобы удаленные частицы не прилипали к поверхности пластины и кистей, величина pH очищающего раствора поддерживается на уровне не ниже 8. Станция очистки после ХМП обычно состоит из станции загрузки, модуля кистевой очистки модуля промывки и сушки и станции выгрузки.

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 241; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!