Главная страница Случайная лекция Мы поможем в написании ваших работ! Порталы: БиологияВойнаГеографияИнформатикаИскусствоИсторияКультураЛингвистикаМатематикаМедицинаОхрана трудаПолитикаПравоПсихологияРелигияТехникаФизикаФилософияЭкономика Мы поможем в написании ваших работ! |
Основы электроники
10.1. Электронно-дырочный переход
Химическим элементом называется соединение атомов с одинаковым зарядом ядра. В природе из всех химических элементов только благородные газы (гелий, В веществе, которое называют полупроводником, валентная зона и зона Свойство атомов одного химического элемента присоединять определённое число атомов других химических элементов называется валентностью. Соединение атомов химических элементов в молекулу называется химической связью. Она Примесной полупроводник получается следующим образом. Если в химический элемент IV группы внести примесь (химический элемент V группы), то при комнатной температуре атомы примеси отдают 5-й электрон, не участвующий в создании химической связи. В результате атомы примеси, расположенные в узлах кристаллической решётки, становятся положительными ионами, а в полученном веществе появляются свободные электроны. Такие вещества, в которых носителями зарядов являются электроны, называют полупроводниками n-типа (n – «negative» – отрицательный), а примеси, благодаря которым возникают свободные электроны, Если в химический элемент IV группы внести в качестве примеси химический элемент III группы, то при комнатной температуре атомы примеси захватывают электроны у некоторых атомов химического элемента IV группы для образования химической связи. В результате эти атомы, расположенные в узлах кристаллической решётки, становятся положительными ионами, вокруг которых находятся нейтральные атомы. Нейтральные атомы, находящиеся возле иона, отдают свои электроны положительному иону, делая его нейтральным; при этом они сами становятся Если соединить полупроводник р-типа с полупроводником n-типа, то образуется полупроводник р-n-типа (имеющий р-слой и n-слой) в месте их соединения создастся электронно-дырочный переход (р-n-переход), в котором электроны n-слоя заполняют дырки р-слоя. Поэтому в месте соединения образуется слой вещества, не имеющий свободных зарядов (то есть обладающий большим сопротивлением), который называют запирающим слоем. Толщина Если от источника электродвижущей силы к р-слою полученного полупроводника приложить положительный потенциал (+j), а к n-слою – отрицательный потенциал Если от источника электродвижущей силы к р-слою полученного полупроводника приложить отрицательный потенциал (–j), а к n-слою – положительный потенциал (+j), то электроны под действием приложенного напряжения из n-слоя начнут поступать в источник, из которого Следовательно, вещества, электропроводность которых находится между – полупроводник при прямом напряжении проводит электрический ток в – при увеличении температуры удельное сопротивление полупроводников снижается (проводников, наоборот, возрастает).
Вопросы для самоконтроля 1. Какие вещества называют полупроводниками? 2. Какими свойствами обладают полупроводники? 3. Как образуются полупроводники? 4. Что является носителями зарядов в полупроводниках n-типа? 5. Как образуются полупроводники n-типа? 6. Что является носителями зарядов в полупроводниках р-типа? 7. Как образуются полупроводники р-типа? 8. Как образуются полупроводники р-n-типа? 9. Что понимается под р-n-переходом? 10. Что понимается под запирающим слоем? 11. Что понимается под прямым током и прямым напряжением полупроводника? 12. Опишите работу полупроводника р-n-типа при прямом напряжении. 13. Что понимается под обратным током и обратным напряжением полупроводника? 14. Опишите работу полупроводника р-n-типа при обратном напряжении.
Дата добавления: 2014-11-15; просмотров: 310; Нарушение авторских прав Мы поможем в написании ваших работ! |