Главная страница Случайная лекция Мы поможем в написании ваших работ! Порталы: БиологияВойнаГеографияИнформатикаИскусствоИсторияКультураЛингвистикаМатематикаМедицинаОхрана трудаПолитикаПравоПсихологияРелигияТехникаФизикаФилософияЭкономика Мы поможем в написании ваших работ! |
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где: - прямая проводимость (крутизна) транзистора, - обратная проводимость транзистора, - выходная проводимость транзистора, - входная проводимость транзистора.
Таблица 1
где ,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскодной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2. Таблица 2
Приложение 3 Таблица отношений напряжений и мощностей.
Приложение 4. Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.
Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 315; Нарушение авторских прав Мы поможем в написании ваших работ! |