Маршрут изготовления фоторезистивной линейки

1. Изготовление тонкой структуры.

Измерение электрофизических параметров.

Двустороннее шлифование.

Химико-механическая полировка (ХМП).

Обезжиривание, травление.

Анодное окисление.

Приклейка пластин на подложку из Ge.

Одностороннее шлифование.

ХМП, промывка.

Обезжиривание, травление.

Контроль.

Фотолитография-1 (ФЛГ-1). Формирование рисунка диэлектрика по фоторезисту.

Напыление CdTe d~0,27 0,3 мкм.

Взрыв фоторезиста.

ФЛГ-2. Формирование рисунка контактной площадки по фоторезисту.

Высаживание индия электролитическим способом (d~1,6 мкм) снятие фоторезиста в кислородной плазме.

ФЛГ-3. Формирование рисунка ФЧЭ по фоторезисту.

Выделение меза-структуры (разделение элементов) методом ионного травления.

Снятие фоторезиста в кислородной плазме.

Подготовка чувствительного элемента к резке.

Резка на чипы, промывка, контроль.

Распайка чипа ФЧЭ на растр. (Оценка ФЭП).

Напыление защитного антиотражающего покрытия (ZnSe – 0,55 мкм + скандиат иттрия 0,35 мкм).

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 144; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!