Студопедия

Главная страница Случайная лекция


Мы поможем в написании ваших работ!

Порталы:

БиологияВойнаГеографияИнформатикаИскусствоИсторияКультураЛингвистикаМатематикаМедицинаОхрана трудаПолитикаПравоПсихологияРелигияТехникаФизикаФилософияЭкономика



Мы поможем в написании ваших работ!




Приемы самосовмещения при формированиитранзисторных структур БИС

Читайте также:
  1. I. Страховой рынок и его структура.
  2. II. Административно-штатная структура, положения по управлению клуба
  3. IV. 1. Организация (структура) экосистем
  4. А. Приемы, имеющие широкое применение на всех этапах.
  5. Абсолютные величины: понятие, структура, используемые единицы измерения
  6. Алекситимия и психосоматическая структура
  7. Альтернативные структуры ДНК
  8. Анализ ассортимента и структуры продукции.
  9. Анализ динамики и структуры безработицы в России.
  10. Анализ динамики и структуры показателей прибыли

Наличие в структуре с боковой диэлектрической изоляцией пристеночных р-n-переходов предполагает самосовмещение базовой, эмиттерной областей и контактов к ним с транзисторной меза-областью. При литографических операциях соответствующие вскрывающиеся окна шире меза-области и частично перекрывают область изоляции.

В случае изоляции приборов селективным окислением кремния травление маскирующего слоя в окне для легирования эмиттера приводит к частичному травлению и изолирующего окисла. Рельеф поверхности кремния в эмиттерном окне имеет углубление на границе с изолирующим окислом, где возможно короткое замыкание эмиттер-коллектор (рис. 20.1).

Рисунок 20.1 Самосовмещенное легирование эмиттера и базы в изопланарной структуре: а) ионное легирование база через слой тонкого окисла; б) сечение структуры с «пристеночным» эмиттером без дополнительного легирования активной области базы;

Дополнительное легирование области активной базы непосредственно в эмиттерное окно позволяет исключить этот дефект. В рассматриваемых ниже структурах, в которых легирование активной и пассивной областей базы не может быть выполнено одновременно, также всегда осуществляется сомосовмещенное легирование эмиттера и активной базы в одно окно.

В целях исключения ошибки совмещения масок при последовательных литографических операциях уменьшений размеров транзисторов используется прием «жесткой маски». В качестве «жесткой маски» обычно применяется слой нитрида кремния, в котором вскрываются необходимые окна. С помощью фотолитографии некоторые окна закрываются фоторезистом, травление или ионное легирование структуры производится с одновременным использованием маскирующих свойств нитрида кремния и фоторезиста. На рис. 20.2 показаны основные этапы формирования транзисторной структура с помощью двухслойной «жесткой маски».

Рисунок 20.2 Использование двухслойной «жесткой маски» для формирования контуров изоляции и контактов:

а) топология маски; б) использование маскирующих свойств окисла и фоторезистов для травления контура изоляции; в) вскрытие коллекторного контакта и легирование, области коллектора

Двухслойная маска обеспечивает формирование контуров изоляции, эмиттера, контактных окон к коллектору и базе в одном процессе фотолитографии. Получение качественных электрических характеристик мелкослойных транзисторов требует наличия в контактах барьерного слоя из поликристаллического кремния. В этом случае негативная «жесткая маска» используется для селективного окисления поликремниевого слоя. Легирование областей коллекторного контакта, эмиттера, контакта к базе и активной базы производится после стравливания нитридных участков «жесткой маски» над соответствующими контактными окнами. Диффузия примесей после вскрытия окон ведется в атмосфере неокисляющего газа, например, аргона.

Обеспечив совмещаемость контактов, «жесткая маска» не позволяет уменьшить шаг металлизации и сократить расстояние между электродами транзистора до размеров менее 1 мкм. Существенное уменьшение размеров транзистора возможно только при самосовмещении элементов разводки и контактов. Причем в качестве элементов, совмещающих функции электродов транзистора и разводки, чаще всего используются участки поликристаллического кремния.

Один из вариантов самосовмещенной структуры представляет транзистор с приподнятыми электродами (ЕЕЛС) (рис. 20.3). Рельеф, образованный при травлении поликремния, использован для получения разрыва в вертикальной плоскости в пленке металла, а также ионно-плазменного травления контактных окон. Окна к кремнию вскрыты только на плоских участках, а вертикальные стенки приподнятых электродов защищены окислом. В структуре обеспечиваются малые топологические размеры транзистора, но большие высота и крутизна рельефа в слое поли кремния затрудняют формирование второго и последующих уровней металлизации.

Рисунок 20.3 Сечение транзисторной структуры

Рисунок 20.4 Основные этапы формирования транзистора и поликремниевого резистора в структуре PSA:

а) нитридная маска на пленке поликремния; б) легирование пассивной области базы и окисление поликремния; в) удаление маски, легирование резистора, активной базы и эмиттера; г) формирование силицида платины на поликремнии.

Самосовмещение контактных окон с разводкой первого уровня достигается при селективном окислении поликремния в структуре.

Разводка первого уровня выполнена силицидом платины на слое поликремния. В процессе PSA расстояние между электродами определяется разрешающей способностью литографии или не зависит от точности совмещения масок. Основной недостаток структуры относительно высокое (1-3 Ом/кв) сопротивление силицидной разводки (рис. 20.4).

Значительное сокращение расстояния между эмиттером и контактом к базе при наличии металлических низкоомных контактов к эмиттеру и коллектору достигается в структуре АPSA (транзистор со структурой АPSA) имеет поликремниевый эмиттер, поликремниевый контакт к базе и малую площадь коллекторного перехода (3-4 площади эмиттера). Процесс АPSA требует нанесения двух изолированных уровней поликремния - для контакта к базе и контактов эмиттера-коллектора. Общая площадь APSA - транзистора такая же, как и при использовании PSA процесса, т.к. в нее входит и площадь металлизированного контакта к базе, расположенного на изолирующем диэлектрике.

Наиболее оригинальной транзисторной структурой, полученной мноступенчатым самосовмещением, является структура SST-2 (Super Selby-align Transistor). В такой структуре (рис. 20.5) использован только один слой поликремния. Субмикронный зазор между эмиттером и контактом к базе сформирован селективным плазмохимическим травлением нелегированного поликремния. С использованием процесса SST-2 получены наиболее быстродействующие биполярные БИС: схема памяти емкостью 1 Кбит с временем выборки 3нс и комбинационный умножитель, выполняющий операцию перемножения двух восьмиразрядных чисел за 10 нс. Параметры транзисторов БИС, изготовленных по маршруту SST-2 с 2 мкм проектными нормами, приведены в таблице 20.1. Измерения времени задержки ЭСЛ переключателей в кольцевых генераторах дали величину 0,196 нс при мощности 1,2 мВт на 1 вентиль для вентилей на транзисторах типа 2 и 0,34 нс при мощности 0,35 мВт - для вентилей на транзисторах типа 1 (рабочий ток 0,2 мА).

Таблица 20.1 Параметры интегральных транзисторов, изготовленных по маршруту SST-2

Параметры Транзистор 1 Транзистор 2
Размеры эмиттера, мкм 1,5x2,5 1,5x6,5
Размеры базы; мкм 6,5x7,5 6,5x11,5
Размеры изолирующего перехода, мкм 15x24 19x24
Максимальная частота усиления по току, ГГц
Сопротивление активной области базы, Ом
Сопротивление пассивной области базы, Ом
Сопротивление эмиттера, Ом
Сопротивление коллектора, Ом
Емкость эмиттерного перехода, пФ 0,007 0,02
Емкость коллекторного перехода, пФ 0,014 0,022
Емкость изолирующего перехода, пФ 0,06 0,076

 

Рисунок 20.5 Основное этапы формирования транзистора в маршруте SST-2:

а) легирование поликремния бором под защитной трехслойной маской; б) боковое травление окисла для уменьшения размера маски; в) травление нитрида под защитой окисла и селективное травление нелегированного пали кремния; г) окисление поликремния с одновременной диффузией пассивной базы, удаление маски, легирование базы и эмиттера, вскрытие контактов и металлизация

Некоторые варианты схемотехники быстродействующих БИС требуют высоких усилительных характеристик транзисторов, как в прямом, так и в инверсионном включении. Для таких случаев разработана транзисторная структура с симметричными характеристиками. Основой процесса является одновременное эпитаксиальное наращивание монокристаллического и поликристаллического слоев. В диэлектрике над областью скрытого n+-слоя вскрываются окна эмиттера и коллектора. Далее проводится наращивание кремниевого слоя р-типа, причем над областью диэлектрика осаждается поликристаллический слой. После обтравливания кремниевый слой окисляют, в окисле вскрывают контактные окна, проводят легирование эмиттера и контакта к базе и формирование металлизации ИС. Структура имеет очень маленькую емкость перехода коллектор-база, однако эпитаксиальная база препятствует получению высоких плотностей тока и достижению предельного быстродействия.

Использование нитридных и поликремниевых слоев, селективного окисления и травления, стандартных процессов фотолитографии позволяет на основе приемов самосовмещения получать транзисторы площадью менее 100 мкм2. Решение одной из основных задач технологии - приблизить параметры приборов к физическим пределам - возможно при использовании электронолитографии и уменьшении площади транзистора до 10-14 мкм2.


 


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Литографические методы в микроэлектронике | Пробой р-n-перехода

Дата добавления: 2014-08-09; просмотров: 464; Нарушение авторских прав




Мы поможем в написании ваших работ!
lektsiopedia.org - Лекциопедия - 2013 год. | Страница сгенерирована за: 0.003 сек.