Способы получения р - n-Перехода

Сплавные переходы получают, нанося на полупроводниковую кристаллическую подложку "навеску" легкоплавкого металлического сплава, в состав которого входит необходимое легирующее вещество. При нагреве образуется область жидкого расплава, состав которого определяется совместным плавлением навески и подложки. При остывании формируется рекристаллизация . Область полупроводника, обогащённая легирующими атомами. Если тип легирования этой области отличен от типа легирования подложки, то образуется резкий р - n-переход, причём его металлургическая граница х₀совпадает с границей рекристаллизации области. В сплавных переходах на этой поверхности разность изменяется скачком (резкий р - n-переход).
При вытягивании из расплава формирование перехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путём дозированного изменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твёрдой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей.
Эпитаксиальные переходы получают методом эпитаксиального выращивания или наращивания, в т. ч. методом молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющим пространственно наиболее тонко (с разрешающей способностью до 1 нм) регулировать закон изменения N_Д(x) - N_a(x). Часто применяются комбинированные способы: после вплавления, имплантации или эпитаксиального выращивания производится диффузионная доводка структуры.
При получении р - n-П. регулируется не только легирование р- и n-областей, но и структура всего переходного слоя; в частности, получается необходимый градиент а = d(N_Д - N_a)/dx в точке металлургич. перехода х = х₀. В большинстве случаев применяются асимметричные р⁺ - п- или п⁺ - р -П., в к-рых легирование одной из областей (+) намного сильнее другой.

Применения, р - n-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэфицентом выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелинейную ёмкость .

Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектированные носители могут управлять током др. р - n-переход , рекомбинировать с излучением света, превращая р - n-Переход. в электролюминесцентный источник излучения , инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р - n-П. Ток р - n-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями .
Свойства р - n-П. обусловливают их применение в разл. приборах: выпрямительные, детекторные, смесительные диоды ,биполярные и униполярные транзисторы; туннельные диоды; лавинно-пролётные диоды (СВЧ-генераторы); фотодиоды, лавинные фотодиоды, фототранзисторы; тиристоры, фототиристоры; фотоэлементы, солнечные батареи; светодиоды, инжекционные лазеры; детекторы частиц и др. р - n-переход вытесняются Шоттки барьерами , изотипными гетеропереходами, планарно-легированными барьерами.

Заключение

Таким образом, в ходе проведения курсового исследования было установлено, что наиболее широко распространены следующие типы p-n-переходов: точечные, сплавные, диффузионные и эпитаксиальные, рассмотрены особенности технологических процессов изготовления этих переходов.p-n-Перехо́д или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

 

 

 

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ
ЛИТЕРАТУРЫ.

1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М.: Мир, 1981;

2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. –М.: Мир, 1988;

3. Гранитов Г.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. –М.: Сов. радио, 1977;

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное издание. –М.: Высшая школа, 1991;

5. Давыдов А.С. Квантовая механика. –М.: Физматгиз, 1963;

6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. –М.: Наука, 1979. Т.3;

7. Фистуль В.И, Введение в физику полупроводников. –М.: Высшая школа, 2002;

8. Электроника. Энциклопедический словарь. –М.: Советская энциклопедия, 2001.

9. Березин и др. Электронные приборы СВЧ. –М. Высшая школа 2001.

 

 

---

<== предыдущая страница	|	следующая страница ==>
Емкости p-n-перехода	|	Калуш - 2014

---

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 207; Нарушение авторских прав

---

Поделиться с ДРУЗЬЯМИ:

Мы поможем в написании ваших работ!