Студопедия

Главная страница Случайная лекция


Мы поможем в написании ваших работ!

Порталы:

БиологияВойнаГеографияИнформатикаИскусствоИсторияКультураЛингвистикаМатематикаМедицинаОхрана трудаПолитикаПравоПсихологияРелигияТехникаФизикаФилософияЭкономика



Мы поможем в написании ваших работ!




Поликремниевые диоды

На форму вольт-амперной характеристики поликремниевых диодов существенно влияет состояния на межзеренных границах. В отличие от вольт-амперной характеристики диодов на монокристаллическом материале вольт-амперная характеристика поликремниевых диодов имеет коэффициент идеальности 1,5-2 вместо 1 и значительно больший обратный ток. В толстых поликремниевыз пленках изготавливали вертикальные диоды, однако больший интерес в производстве ИС представляют горизонтальные диоды в тонки (толщиной 0.5-2.5 мкм0 пленках поликремния.

 

 

Рисунок . Схематическое изображение и поперечное сечение И2Л вентиля с поликремниевыми доидами.

 

Формирование поликремниевых диодов при изготовлении ИС не вызывает затруднений, особенно если поликремний используют и для создания межкомпонентных соединений. В качестве примере можно рассмотреть использование поликремниевых диодов в схемах И2Л, где они применяются как последовательно включенные диоды на выходе. Такие диоды уменьшают интервал напряжений на входе следующего каскада, повышая тем самым быстродействие схемы. Эти диоды имеют горизонтальный p-n-переход, созданный в поликремнии путем разгонки примеси из n+-коллекторной области. Благодаря малому эффективному времени жизни носителей поликремниевые диоды обладают очень малым временем переключения и не повышают время задержки вентилей.

 

 


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Резисторы в поликремниевых пленках | Тонкопленочные транзисторы

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 183; Нарушение авторских прав




Мы поможем в написании ваших работ!
lektsiopedia.org - Лекциопедия - 2013 год. | Страница сгенерирована за: 0.003 сек.