Поликремниевые эмиттеры

В биполярной технологии эмиттер может изготавливаться из поликремния. Поликремниевым эмиттерам присущ высокий коэффициент инжекции. Повышенный коэффициент инжекции эмиттера можно использовать для изготовления приборов с высоким удельным сопротивлением по току либо для повышения степени легирования базы. Последняя возможность позволяет уменьшить сопротивление базы и улучшить характеристики прибора при квазинасыщении.

Рисунок . Структура биполярного транзистора с туннельным эмиттером на базе системы полупроводник – диэлектрик - полупроводник.

В технологическом процессе PABLO применяют два поликремниевых слоя. Первый служит источником диффузии и используется для создания контактов к эмиттеру, базе и коллетору. Второй является вспомогательным слоем, который частично окисляется для получениямаски и в дальнейшем удаляется.

Этот процесс позволяет:

1) получать субмикронные расстояния эмиттер-юаза, не прибегая к субмикронной литографии;

2) легировать эмиттер и базу, используя в качестве источника слой поликремния;

3) легко сочетать поликремниевые резисторы, диоды и межсоединения из n⁺-поли-кремния.

Поперечное сечение такого биполярного транзистора показано на рисунке . Емкости имеют малые значения: вклад периферии в емкость эмиттер-база практически отсутствует, поскольку края эмиттера и базы разделены кольцом оксида, а емкость коллектор-база мала, так как значительная часть p⁺-базовой области находится в поликремнии и отделена от коллектора толстым слоем оксида. Сопротивление этой области само по себе уменьшается.

Рисунок . Поперечное сечение биполярного транзистора, изготовленного с помощью процесса PABLO.

Далее рассматривается применение поликристаллического кремния для затворов совместно с силицидами и применение поликристаллического кремния для формирования накопительных конденсаторов.

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 260; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!