Методы формирования диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью

1) Нанесение пленок методом центрифугирования из раствора.

2) ХОГФ осаждение,

Пленки, нанесенные центрифугированием, наносятся с использованием жидких растворов, а затем сушатся и отжигаются в азоте при температурах до 450 °С. Сушка необходима для: а) удаления растворителей, б) завершения химических реакций, в) удаления непрореагироваших мономеров и олигомеров и г) уплотнения.

Для ХОГФ осаждения диэлектриков может использоваться существующее оборудование, Однако ХОГФ осаждение имеет гораздо большие затраты по сравнению с нанесением центрифугированием. Пленки, наносимые центрифугированием имеют более широкие перспективы для субмикронных ИС, однако, жидкие растворы чувствительны к температуре, влаге и кислороду. Использование быстрого термического отжига уменьшает время обработки пленок, нанесенных центрифугированием и стало широко использоваться.

Существует две категории диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью: диэлектрики на основе кремния и диэлектрики на основе углерода. Углеродные материалы обычно имеют более низкую диэлектрическую проницаемость, но некоторые их свойства делают более предпочтительным использованием диэлектриков на основе кремния. Например, кремниевые диэлектрики имеют более высокую термическую стабильность и твердость по сравнению с углеродными материалами, но более склонны к абсорбции влаги.

Диэлектрики на основе кремния более пригодны к существующему процессу изготовления ИС. Они имеют лучшую адгезию к кремнию, оксиду кремния и нитриду кремния. Они также легко травятся во фторсодержащей плазме, в то время как углеродные диэлектрики требуют использования кислородосодержащей химии. Кроме того, диэлектрики на основе кремния более пригодны для процесса химико-механической полировки из-за их более высокой твердости.

Дата добавления: 2015-07-26; просмотров: 126; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!