Микросхемные линейные стабилизаторы напряжения

Рис. 27

Рис.25 Рис.26

Параллельный стабилизатор, как правило, не требует дополни-тельного устройства защиты от перегрузки. При увеличении тока нагрузки ток через микросхему уменьшается, а при замыкании выхода становится равным нулю. Превышение выходного напряжения также не создает угрозы для микросхемы, так как при этом лишь несколько увеличивается ее катодный ток, соответственно увеличивается падение напряжения на балластном резисторе.

Из выражения для коэффициента следует, что с увеличением коэффициент стабилизации увеличивается. Однако увеличение требует повышения , но это приводит к увеличению мощности, рассеиваемой на и снижению КПД схемы.

.

На основании закона Кирхгофа в приращениях запишем

,

,

где , могут быть определены из соотношений

; ; .

С учетом этих соотношений выражения для и можно представить в виде

;

.

Поставив во второе уравнение значение тока , получим

.

Зная , получим выражения для коэффициента стабилизации

, где .

Если , то это выражение упрощается

.

Обычно у ПСНВЭ равен 10÷15.

Для повышения коэффициента стабилизации применяют многокас-кадные схемы ПСН ВЭ.

Коэффициент полезного действия ПСН ВЭ равен

.

КПД ПСН ВЭ, как правило, не превышает (25-35)%.

Преимущества и недостатки ПСН ВЭ.

Малые габариты, простота схемы и надежность являются преимуществами таких стабилизаторов перед компенсационными.

К недостаткам ПСН ВЭ относятся – малый коэффициент стабилизации; небольшая выходная мощность; низкий КПД.

8. МИКРОСХЕМНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ типа КР142ЕН19

Микросхема КР142ЕН19(рис.22) представляет собой регулируемый параллельный стабилизатор напряжения – интегральный аналог стабилит-рона – и предназначена для использования в блоках питания и других узлах высококачественной аппаратуры широкого применения в качестве источника образцового напряжения (ИОН), регулируемого стабилитрона. Микросхема КР142ЕН19превосходит стабилитроны по многим параметрам. Во–первых, она способна формировать регулируемое образцовое напряжение, во–вторых, меньшее, чем у низковольтных стабилитронов. В–третьих, микросхема обладает лучшими стабилизирующими качествами [83].

Приборы изготовлены по планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией p–n переходом. Оформлены они в пластмассовом корпусе КТ–26 (рис. 22) с тремя жесткими выводами прямоугольного сечения.

рис. 22 Рис. 23

Масса прибора не более 0,5 г. Ближайшая к КР142ЕН19 по характеристикам зарубежная микросхема ТL431.

Цоколевка микросхемы: выв. 2 – анод, выв. 8 – катод, выв.17 – вход управляющего сигнала (с делителя напряжения измерительного элемента).

Приборы рассчитаны на длительную эксплуатацию при температуре окружающей среды –10...70 ^оС. Минимальная наработка на отказ – 50000 ч.

Упрощенно функциональная схема прибора показана нарис. 23.

Микросхема содержит внутренний источник образцового напряжения U_обр.вн, определяющий ее минимальное выходное напряжение. Реально микросхема сохраняет работоспособность и обеспечивает заданные параметры при напряжении на аноде не ниже, чем на управляющем входе.

Электрические характеристики при Т_окр.ср = 25 ^оС

Минимальное выходное напряжение В, при соединенных аноде и управляю-щем входе (равное U_обр.вн) и катодном токе через ИС10 мА.......2,44..2,55

Ток входа управления, мкА, не более при катодном токе через микросхему, ………………………………………………………………………10 мА..5.

Динамическое сопротивление, Ом, не более, при минимальном выходном напряжении и катодном токе через микросхему, 10 мА..............0,5

Нестабильность выходного напряжения по управляющему напряжению, %/В, не более ................................................................................. 0,12

Предельно допустимые значения параметров

Наибольшее значение между анодом и катодом, В.................... 30

Наибольший анодный ток, мА ......................................................................... 100

Наименьший анодный ток, мА .......................................................................... 1,2

Наибольшая мощность рассеивания, Вт .......................................................... 0,4

Температурный рабочий интервал, ^оС .................................................... –10..+70

Типовая схема включения микросхемы КР142ЕН19 представлена на рис. 24. Резистор R1 – балластный; критерии его выбора те же, что и при выборе балластного резистора параметрического стабилизатора на стабилитроне.

Рис. 24

Резисторы R2и R3 образуют делитель напряжения измерительного элемента. Выходное напряжение U_вых и сопротивление резисторов R2 и R3 связаны соотношениями:

U_вых=(1+R2/R3 )U_обр; U_вых /(R2 + R3 )³10 ^–4 A.

Конденсатор С1 емкостью 0,1...1 мкФ вводят при необходимости – он предупреждает паразитную генерацию на устройстве. Если необходимо плавно регулировать выходное напряжение, резистор R2 выбирают переменным. Наиболее важным параметром микросхемы, работающей в ион, является температурный коэффициент выходного напряжения.

На рис.25 показана типовая температурная зависимость выходного напряжения микросхемы КР142ЕН19, снятая по результатам испытания одной из партий приборов (заштрихованная зона технологического разбро-са).

Для основной массы производимых микросхем температурные изменения выходного напряжения находятся в пределах 2 мВ.

На рис. 26изображена типовая схема включения микросхемы КР142ЕН19 в качестве ИОН для случая, когда U_вых= U_обр.вн.. Как и многие другие стабилизаторы, ИОН на микросхеме КР142ЕН19 тоже можно умощнять. Схема одного из подобных устройств показана на рис. 27.

Резистор R4в этом устройстве – балластный для микросхемы DA1. Общим балластным резистором всего стабилизатора служит резистор R1. Выбор транзистора VT1 определяет требуемый ток нагрузки. Минимальное выходное напряжение умощненного стабилизатора равно3,5 В.

Схема стабилизатора тока, построенного на базе микросхемы КР142ЕН19 показана на рис. 28.

рис. 28

ЗдесьR1 – балластный резистор. Выходной ток стабилизатора определяют выбором сопротивления резистора R2

I_вых = U_обр.вн / R2.

На рис. 29 представлена схема типового последовательного регулируе-мого параметрического стабилизатора напряжения сИОН на микросхеме DA1 КР142ЕН19 и усилителем тока на транзисторе VT1. Переменный резис-тор R2 служит для регулирования выходного напряжения стабилизатора.

рис. 29

Хорошие результаты дает ИОН на микросхеме КР142ЕН19совместно с микросхемными стабилизаторами этой серии. Примером может служить стабилизатор по схеме на рис. 30. Минимальное выходное напряжение здесь U_вых.min > U_обр.вн+5 B.

рис. 30

Такой “тандем” позволяет существенно увеличить коэффициент стабилизации устройства и другие его качественные показатели по сравнению с типовым стабилизатором на микросхеме КР142ЕН5А.

Общие сведения об электрических параметрах и показателях качества выходного напряжения линейных стабилизаторов (ЛСН)

Дата добавления: 2014-03-13; просмотров: 598; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!