![]() Главная страница Случайная лекция ![]() Мы поможем в написании ваших работ! Порталы: БиологияВойнаГеографияИнформатикаИскусствоИсторияКультураЛингвистикаМатематикаМедицинаОхрана трудаПолитикаПравоПсихологияРелигияТехникаФизикаФилософияЭкономика ![]() Мы поможем в написании ваших работ! |
Принцип действия повышающего ИСН. Емкость конденсатора где Коэффициент полезного действия ИСН является функцией частоты коммутации, и с увеличением последней уменьшается, поскольку с увеличением В общем случае ИСН имеет внутреннее (выходное) сопротивление r, которое ранее не учитывалось, зависящее от сопротивления насыщенного транзистора
При заданных при котором возможно осуществить схему силовой части ИСН. Выражение для выходной и регулировочной характеристики удобнее записать в следующем виде:
Семейство выходных (зависимость Семейство регулировочных (зависимость Построив семейство выход-ных и регулировочных характе-ристик (рис. 86), можно определить диапазон изменения длительности относительной паузы
Схемы силовых цепей повышающего ИСН показаны на рис.87. Если транзистор VT1 открыт, то к дросселю прикладывается входное напряжение а б Рис. 87 В интервале времени Приближенно выходное и входное напряжение ИСН при безразрывном токе дросселя связаны соотношением:
откуда Здесь Если учесть падение напряжения на открытом проводящем ток диоде Тогда требуемое отношение равно
А напряжение – Средний за период (Т) ток дросселя, средний за время импульса ( Амплитуда пульсации тока дросселя L1, отклонение от средних значений токов коллектора транзистора VT1 и замыкающего диода VD1 определяются по формуле: или После открывания транзистора VT1 диод VD1 закрывается так как В момент закрывания транзистора VT1 магнитное поле изменяет полярность напряжения на катушке L1. В результате диод VD1 открывается и напряжение Минимальное значение тока через дроссель и диод будет равно: Индуктивность катушки L1 «повышающего» ИСН рассчитывают по формуле
Если считать, что сопротивления насыщенного транзистора и открытого диода одинаковыми, то в приведенных выше выражениях: Емкость конденсатора C2, который питает нагрузку ( Семейство выходных ( Семейство выходных и регулировочных характеристик имеет огибающую, определяемую уравнением: Максимальное значение выходного напряжения при заданном сопротивлении нагрузки Основным достоинством стабилизатора с силовой цепью, состоящей из последовательного дросселя и параллельного транзистора, является непрерывность тока, потребляемого от источника 2.2.3.Принцип действия инвертирующего ИСН Схемы силовых цепей инвертирующих ИСН приведены на рис. 88. а б Рис. 88 При открытом состоянии Запирание Конденсатор C2 дозаряжается, восстанавливая уменьшившееся за предыдущий интервал Величина напряжения на выходе ИСН может быть как меньше, так и больше входного напряжения. В отличии от рассмотренных, в этом стабилизаторе на рис. 88 накопительная катушка L1 включена не последовательно с нагрузкой, а параллельно ей. При открытом транзисторе VT1 ток через катушку нарастает, а диод VD1 закрыт, так как напряжение на его аноде (относительно катода) отрицательно. Когда же транзистор закрывается, полярность напряжения на катушке изменяется на обратную, диод VD1 открывается, и ток, создаваемый катушкой, убывает до тех пор, пока транзистор не откроется вновь. Выражение, определяющее значение
Знак Амплитуды пульсации токов дросселя, транзистора и диода определяются по аналогичным выражением для «повышающего» ИСН. Максимальные значения токов дросселя, транзистора и диода равны: Минимальный ток дросселя можно определить из выражения: Индуктивность или а емкость конденсатора Требуемое отношение Семейство выходных и регулировочных характеристик строится по соотношению: Коммутационные процессы в этой схеме, как и в «понижающем» ИСН, приводят к перегрузке транзистора в первые моменты после его отпирания. Пока не рассосется заряд неосновных носителей в базе диода, через диод и открывшийся транзистор проходит ток разрядки конденсатора C2. Этот ток является для диода обратным, а для транзистора прямым. При инерционном диоде он может достичь больших значений. Разрядка конденсатора C2 через VD1 и VT1 на первичный источник 2.3. Методы стабилизации напряжения и эквивалентная схема системы управления импульснымиИВЭП В значительной степени сложность и экономичность схемы источника питания зависит от выбранного способа управления силовым каскадом и методов стабилизации вторичных напряжений. Рассмотрим несколько возможных вариантов решения этих проблем. Как отмечалось выше, одним из основных преимуществ импульсных ИВЭП является преобразование напряжения первичной электрической сети в напряжение требуемого уровня с более высоким КПД по сравнению с обычными (низкочастотными, 50, 400 Гц) трансформаторными источниками питания. Чаще всего это достигается за счет стабилизации выходного напряжения путем воздействия на регулирующее устройство (РУ) силовой части (СЧ) преобразователя напряжения (ПН) или импульсного стабилизатора напряжения (ИСН). Для стабилизации величины выходного напряжения используются различные методы регулирования, основными среди них являются: широтно-импульсная модуляция (ШИМ), частотно-импульсная модуляция (ЧИМ) и релейная система регулирования (РСР). В общем принцип действия ШИМ стабилизации заключается в изменении длительности импульсов, усиливаемых силовым каскадом, без коррекции собственно частоты колебаний и их амплитуды. Длительность импульсов, формируемых схемой управления, должна быть обратно пропорциональна величине напряжения на нагрузке. Процесс стабилизации вторичного напряжения с помощью ШИМ представлен на рис. 89. Рис. 89
Кривая Uн отражает изменение напряжения на нагрузке при отсутствии стабилизции. Характер изменения длительности импульсов в зависимости от Uн показан на графике Uу (t), временная шкала содержит отметки кратные Т- условному периоду следования импульсов. В стабилизаторах с ШИМ частота импульсов Uу стабильна (то есть Т = const), а их длительность уменьшается с увеличением выходного напряжения Uн. В отличие от предыдущего способа, ЧИМ стабилизация характери-зуется модификацией частоты (то есть изменением периода Т следования импульсов) управляющего сигнала при постоянной длительности импульсов. На качественной диаграмме отработки частотным модулятором изменения напряжения Uн, приведенной на рис. 90, показано изменение частоты импульсов, обратно пропорциональное значению Uн.
Дата добавления: 2014-03-13; просмотров: 463; Нарушение авторских прав ![]() Мы поможем в написании ваших работ! |