Прожигаемые ПЗУ

Масочные ПЗУ.

МасочныеПЗУ. К масочным относятся ПЗУ, информация в которые записывается непосредственно в процессе их изготовления. Само название данного подкласса устройств связано с технологическим процессом их изготовления. Известно, что нанесение «рисунка» структуры на исходный полупроводниковый материал выполняется при помощи нескольких последовательных циклов фотолитографии (проецирование рисунка через фотошаблон называемый маской) При этом отдельные элементы формируемых полупроводниковых приборов выполняются с использованием различных масок, например, коллекторные и эмиттерные переходы биполярных или выводы стока и истока полевых транзисторов.

Первоначально изготавливаются все фотошаблоны, обеспечивающие соединение всех ША с ШД. В этом случае по всем адресам из ПЗУ считывается одинаковый сигнал, например лог. 1. Далее один из шаблонов заменяют другим, в котором отсутствуют некоторые области приборов (например, коллекторные переходы транзисторов), расположенные согласно таблице истинности между шинами в тех местах, где соединение должно отсутствовать. Данный метод позволяет для изготовления ПЗУ с различной информацией заменять только один из фотошаблонов, что существенно ускоряет и удешевляет процесс производства.

Как следует из описания, масочные ПЗУ имеют простую и регулярную структуру, что предполагает выполнение ИС, способных хранить большие объемы информации.

Прожигаемые ПЗУ, или однократно программируемые ПЗУ, относятся к классу устройств, которые программируются один раз непосредственно их потребителем. По своей структурной схеме это устройство с одномерной адресацией, в котором для выделения выходного информационного слова нужной длины используется выходной селектор (рис 9.1.).

Первоначально по всем адресам таких ИС записаны сигналы либо лог. 0, либо лог. 1. Пользователь по своему усмотрению перезаписывает по необходимым адерсам отличные от исходных логические константы. Физически процесс записи осуществляется путем разрушения (пережигания) специально для этого предусмотренных перемычек между шинами дешифрированного адреса и выходными выводами. Такие перемычки изготавливаются из нихрома, поликремния или титаната вольфрама и имеют собственное сопротивление в несколько десятков ом Перемычка обычно включается в эмиттерную цепь транзистора. При программировании для разрушения такой перемычки через транзистор достаточно пропустить импульс тока в 20 .. 30 мА при длительности порядка 1 мс.

В нормальном режиме работы токи схемы существенно меньше необходимых для программирования. Поэтому записанная вЭЗЭинформация при чтении не разрушается.

Рис 9.1. Структурная схема прожигаемого ПЗУ

Импульс тока записи формируется путем кратковременного повышения напряжения питания ЭЗЭ до необходимого для прожи-гания перемычки значения Очевидно, что записанная таким образом информация не может быть изменена, за исключением случаев, в которых необходимо изменить информацию по ранее незапрограммированным адресам.

Дата добавления: 2014-03-11; просмотров: 347; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!