Импульсный стабилизатор напряжения с ШИМ. Микросхема импульсного управления КР142ЕП1 обеспечивает работу ИСН в основном в релейном двухпозиционном режиме

Микросхема импульсного управления КР142ЕП1 обеспечивает работу ИСН в основном в релейном двухпозиционном режиме, но в ИС предусмотрена также возможность для создания стабилизатора напряжения с широтно-импульсной модуляцией.

Например, еслипо тем или иным причинам требуется, чтобы работа порогового устройства была синхронизирована с частотой какого-либо внешнего устройства, то его синхронизирующий сигнал подают на выв. 14 и 15 ИС. Часто в качестве подобного устройства используют генератор прямоугольных импульсов - задающий генератор. Переменное напряжение прямоугольной формы такого генератора с помощью дифференцирующей RC цепочки преобразуется в пилообразное напряжение U_пил. В качестве резистора в этом случае используется R10 микросхемы, а внешний конденсатор применяется небольшой емкости.

В качестве узла ввода этого сигнала используются диоды VD3...VD6, включенные между дифференциальным усилителем и триггером Шмитта. Таким образом, на резисторе R10 осуществляется сравнение двух напряжений – первое пропорционально изменению напряжения на нагрузке(как и в ИСН с РЭ) и снимается оно с коллектора VT11 дифференциального усилителя постоянного тока U_упт, а второе –напряжение пилообразной формы U_пил. В результате сравнения этих напряжений выделяется сигнал рассогласования, который подается на инвертирующий каскад VT7.

Напряжение пилообразной формы должно иметь размах, достаточный для перевода VT7 в состояние насыщения. Последний в открытом состоянии работает в режиме, близком к насыщению. Задержка моментов времени, в которые VT7 выходит из насыщения, по отношению к переднему фронту пилообразного напряжения зависит от того, насколько открыты транзисторы VT7, VT8. Если транзисторы почти заперты, а среднее напряжение между их базой и эмиттером, задаваемое потенциалом коллектора VT8, мало, то оно сравняется с линейно уменьшающимся напряжением на выходе выпрямителя только в конце такта.

При возрастании потенциала на коллекторе VT11(т.е. при увеличении напряжения на нагрузке) растет и напряжение U_упт. Такому напряжению соответствует большая пауза между импульсами напряжения (меньшая длительность импульсов напряжения), снимаемыми с общей эмиттерной нагрузки транзисторов VT7, VT8 - R9(U_БVT6) микросхемы.

Транзисторы VT6, VT5, VT4являются усилителями импульсов, снимаемых с резистора R9. Усиленные импульсы с коллектора VT4 через внешний делитель напряжения (R6, R3) подаются на базу VT3, являющегося одним из транзисторов ключа, входящего в состав ИС. Этот ключ (VT2, VT3) управляет в данной схеме ИСН внешним силовым ключом, выполненным также в виде составного транзистора (VT2, VT3). Таким образом, при увеличении, например, напряжения питания на входе ИСН напряжение U_н = (t_и /T)U_п на нагрузке останется неизменным так как уменьшилось время открытого состояния регулирующего транзистора силовой части.

Дата добавления: 2014-03-13; просмотров: 384; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!