Очистка подложек

Схема технологического процесса изготовления пассивной части тонкопленочной микросхемы

Юстировка масок

Очистка подложек

Очистка резистивных испарителей, навесок материалов, рабочей камеры и технол. оснастки

Нанесение тонких пленок на подложки методом термического испарения или катодного плазменного распыления

Получение рисунка методом ф/литографии

Контроль параметров процесса соединения пленок

Контроль параметров тонкопленочных элементов (R и C)

Контроль степени вакуума в раб. камере

Контроль t0 подложки

Контроль толщины пленки

Контроль скорости осаждения

Подготовка номиналов тонкопленочных элементов микросхемы

Резка подложек на отдельные микросхемы

Контроль степени вакуума

t0 под-ложки

Толщи-на пленки

Скорость охлаждения

– Основные операции

– Вспомогательные операции

– Контрольные операции

Наличие на поверхности подложки загрязнений (пыль, пленки жира, влаги, отсорбированіх газов) существенно влияет на адгезию и химический состав наносимых на подложку тонких пленок. Поэтому подложки подвергаются тщательной очистке как до установки их в вакуумную камеру, так и в вакуумной камере.

Предварительная вневакуумная очистка подложек, в основном производится с целью удаления с их поверхности жировых загрязнений. Такая очистка осуществляется обычно химическим способом – обработкой подложек органическим растворителем и промывкой в деионизованой воде. Весьма эффективным органическим растворителем является изоприловый спирт. Очистка подложек в его парах, что дает возможность совмещать процесс очистки и регенерацию растворителя, т. к. образующийся в процессе конденсации паров изоприлового спирта на подложке конденсат растворяетжировые загрязнения и стекает в испаритель, где вновь возгоняется, оставив загрязнения в растворе. Процесс очистки может быть значительно ускорен при одновременном воздействии на подложки у/зв. колебаний. Для этой цели подложки помещают в у/зв. установку, оборудованную установку изоприлового спирта (после очистки подложки хранятся в ексикаторе с отожженным силикагелем т. к. поверхность их подвержена быстрому повторному загрязнению).

Контроль качества предварительной очистки подложек осуществляется выборочно – чаще всего для этой цели используют метод капли – основан на том, что очищенная поверхность хорошо смачивается, поэтому капля жидкости на ней растекается. Если же капля не растекается, то поверхность очищена плохо.

Окончательная очистка подложек осуществляется в вакуумной камере непосредственно перед нанесением тонких пленок. При этом удаление с поверхности паров воды и отсортированных молекул газа производится путем нагрева подложек в вакууме до 200 – 300⁰С, а удаление мономолекулярных слоев органических молекул – ионной бомбардировкой поверхности подложки в условиях тлеющего разряда переменного тока, создаваемого в вакуумной камере при давлении 10^-2 – 10^{-3 мм. рт. ст.}

Очистка резистивных испарений – изготавливается из тугоплавких металлов (Mo, W, Tа) методом штамповки; имеют весьма загрязненную поверхность. Поэтому перед использованием таких испарителей их подвергают очистке – обезжиривание, травление, отжиг хранят их после очистки в бензине.

Очистка навесок испаряемых материалов аналогичен процессу очистки резистивных испарений т. е. сначала навеску обезжиривают, затем травят, и, наконец, обезгаживают в вакууме непосредственно перед испарением.

2. Нанесение пасивної частини методами:

2.1. Вільних трафаретів – масок:

– на індивідуальних установок;

– установках карусельного типу.

2.2. Напилення цільного слою плівки з наступною фотолітографією.

Дата добавления: 2014-03-13; просмотров: 415; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!