Особенности экранирования электро магнитных полей

На низких частотах параметры экранов для электрических и магнитных полей сильно отличаются друг от друга, с повышением частоты сигнала помехи эти различия уменьшаются. К низким частотам относятся те случаи, когда расстояние от источника помехи до экрана R << λ , где λ длина волны сигнала помехи, R – эквивалентный радиус экрана. Указанная область соответствует ближней зоне источников поля, в которой для электрических источников (например, диполей, вибраторов) преобладает электрическое поле, а для магнитных источников (рамка с током) преобладает магнитное поле. В расчетах экрана для электрического поля нужно учитывать особенности экранирования электрического поля, а во втором магнитного.

На высоких частотах, когда R > λ, поле источников становится электромагнитным и соотношение между электрическим и магнитным полем не зависит от вида источника. В этом случае ведут расчет экранов для высоких частот. На рис. 1а приведены зависимости экранного ослабления стального и медного экранов для магнитных и электрических источников от частоты.

С точки зрения физических процессов предельные случаи электромагнитного экранирования на низких частотах - это электростатические и магнитостатические поля. Известно, что электростатическое поле полностью экранируется тонкостенным экраном Ээ ~ из любого металла с проводимостью δ > 0. Магнитостатическое поле совсем не экранируется экраном из немагнитных материалов (рис.1). Отсюда, для экранирования магнитного поля экраны изготавливают из материала с большим значением >>1 . Если увеличивать частоту электромагнитных колебаний, то с ростом частоты различие между этими двумя процессами начинает стираться. Принято считать, что эффективность экранирования с понижением частота падает, т. к. растет глубина проникновения поля в стенку экрана пропорционально увеличению толщины скин слоя Δ° (толщина скин слоя - это такая глубина проникновения поля в проводник, на которой амплитуда поля убывает в е раз).

δ - удельная проводимость материала,

- круговая частота сигнала, ;

Но, с другой стороны, на самых низких частотах и особенно на нулевой частоте эффект экранирования электрического поля резко возрастает, а магнитного падает. На высоких частотах, когда толщина экрана d >> Δ°, эффективность экранирования электрических и магнитных полей сравнивается.

Физику экранирования можно объяснить по-разному:

1. Под воздействием поля помехи на экране наводятся электрические поверхностные заряды, а также токи и магнитное поле. Они создают вторичное поле, которое в результате сложения с первичным полем ослабляют его в защищенной области.

2. С другой стороны, действие экрана можно рассматривать как результат многократного отражения электромагнитной волны от его поверхности, из-за различия волновых сопротивлений окружающей среды и материала экрана, и затухания высокочастотной энергии в стенках экрана. Эффект экранирования по электрическому и магнитному полям, в этом случае, можно характеризовать как:

где - характеризует ослабление электрического и магнитного поля за счет потерь энергии в стенке экрана.

и - потери электрического и магнитного поля из-за отражений от поверхности экрана.

На более низких частотах эффективность экранирования в основной определяется эффектом отражения поля от поверхности экрана, а на высоких частотах главным образом эффектом поглощения.

В конструкциях экранов часто приходится предусматривать отверстия, цели. Наличие отверстий в экране снижает эффективность экранирования, и их влияние зависит от формы, размеров отверстий, его местоположения и ориентации относительно токов проводимости на экране.

Местоположения отверстий желательно выбирать в области экрана, где поле помехи минимальное. Размеры отверстия должны быть по возможности минимальными, и оно должно быть ориентировано большей стороной перпендикулярно касательным силовым линиям магнитного поля. При этом отверстие пересекает меньшее число силовых линий плотности тока проводимостей и, следовательно, оно слабее будет возбуждаться. Влияние формы отверстия сказывается на его эффективности возбуждения. Если поле помехи линейной поляризации и ее направление известно, то отверстие желательно делать узким и ориентировать его перпендикулярно магнитному полю, а если поляризация неизвестна или вращающаяся, то отверстие желательно брать квадратным, круглым. При этом эффективность его возбуждения не зависит от направления поляризации. Если одно большое отверстие можно заменить рядом маленьких, то это значительно улучшает характеристики экранирования.

Дата добавления: 2014-11-15; просмотров: 401; Нарушение авторских прав

Мы поможем в написании ваших работ!